автор: Виктор Арковенко
источник: compress.ru
В 1996 году фирма Intel в качестве памяти для будущих поколений компьютеров (то есть для нынешних) выбрала память типа RDRAM (точнее, ее разновидность — Direct RDRAM), предложенную фирмой Rambus. Она построена на базе специального интерфейса Rambus Interface, которым снабжается как контроллер памяти, так и каждая микросхема. Контроллер и микросхемы памяти (их может быть до 32 штук) присоединяются непосредственно к специальной 33-проводной шине и образуют канал Direct Rambus Channel. Таких каналов, работающих параллельно, может быть несколько. Данные, адреса и управляющие сигналы передаются по единой 16-разрядной шине. Уменьшение ширины слова данных до 16 разрядов с избытком компенсируется более высокой тактовой частотой передачи. Для узкой шины она может быть резко увеличена без риска потери целостности сигналов из-за электромагнитной интерференции. Тактовая частота — 400 МГц, но так как данные передаются по обоим фронтам, реальная частота передачи составляет 800 МГц, а пропускная способность канала достигает 1,6 Гбайт/с. Сама же память работает на частоте 100 МГц, но за счет многобанковой структуры имеет такую же пропускную способность — 1,6 Гбайт/с. При использовании четырех каналов (общая ширина шины данных — 64 разряда) пропускная способность достигает 6,4 Гбайт/с. Таким образом, преимущества памяти RDRAM достигаются за счет специального интерфейса, высоких скоростей передачи и многобанковой структуры, обеспечивающей эффективную обработку перекрывающихся запросов. Контроллер памяти RDRAM транслирует запросы к памяти (адрес, управляющие сигналы) в соответствующие сигналы и передает их в Direct Rambus Channel и, наоборот, сигналы, получаемые по каналу, преобразует в обычный формат (ширина шины данных — 64 бит, частота до 200 МГц).
Для использования в качестве оперативной памяти в компьютерах память RDRAM выполняется в виде модулей типа RIMM, несколько напоминающих обычные модули DIMM. Они имеют размер 133,25 x 34,93 мм при толщине печатной платы 1,27 мм, количество контактов — 184, все контакты позолоченные. На модуле присутствует запоминающее устройство EEPROM для реализации функции идентификации параметров модуля системой SPD (Serial Presence Detect). Напряжение питания составляет 2,5 В (у SDRAM — 3,3 В).
Память типа RDRAM имеет более высокую пропускную способность, чем синхронная память SDRAM, однако начальные задержки при обращении к RDRAM существенно выше, чем при обращении к SDRAM (это связано с необходимостью преобразования форматов при обращении к RDRAM), так что выигрыш в производительности в обычных условиях не очень большой. К сожалению, большие задержки — это не единственный и не главный недостаток памяти RDRAM. Главный недостаток — высокая цена. Первоначально предполагалось, что превышение цены над обычной SDRAM будет находиться в пределах 5-15%. Однако все оказалось намного серьезнее. Архитектура RDRAM значительно проигрывает обычной SDRAM по размеру кристалла. Кроме того, она намного сложнее и более требовательна к оборудованию. Предпочтительный технологический процесс — 0,18 мкм или ниже. Потребовалось абсолютно новое тестирующее оборудование. Выход годных кристаллов, по всей вероятности, не столь велик, как у обычной памяти (об этом свидетельствует то, что теперь начали предлагаться и менее с
коростные варианты RDRAM — на 600 и 700 МГц). В результате цены на память RDRAM оказались очень высокими, в несколько раз выше, чем на SDRAM. Цены могли бы снизиться при развертывании действительно массового производства, однако ситуация на рынке этому не очень способствует. С одной стороны, у фирмы Intel, по данным информационных агентств, было много проблем с выпуском чипсета i820, поддерживающего RDRAM. Конфигурация с тремя модулями RIMM оказалась неустойчивой, поэтому было рекомендовано использовать только два модуля (это не более 512 Мбайт памяти при существующей пока максимальной емкости модуля 256 Мбайт), что для систем высокого класса, сравнительно терпимых к высокому уровню цен, совершенно недостаточно. С другой стороны (и это тоже важный фактор), практически готовы альтернативные решения на основе синхронной памяти DDR SDRAM, гораздо более дешевые и не менее производительные. В связи с этим перспективы RDRAM уже не выглядят столь впечатляющими, как раньше. По многим прогнозам, доля RDRAM на рынке
в ближайшие год-два не превысит 10%, а потом начнет уменьшаться. Есть и более оптимистичные прогнозы, предсказывающие для RDRAM до половины рынка памяти. Во всяком случае, фирма Intel своих позиций по отношению к RDRAM существенно не меняла и считает эту память по-прежнему приоритетной.
